Samsung dự kiến trang bị vi xử lý Exynos 2700 trên tiến trình 2nm cho Galaxy S27 Pro nhằm tối ưu chi phí và hiệu năng nhờ công nghệ đóng gói SBS và tản nhiệt HPB mới.
Chipset cao cấp Exynos 2700 đang được Samsung phát triển trên tiến trình SF2P, tích hợp kiến trúc tản nhiệt mới nhằm tối ưu hiệu năng cho dòng Galaxy S27 ra mắt năm 2027.
Samsung đang thử nghiệm tấm nền OLED từ BOE để tối ưu chi phí sản xuất cho Galaxy S27. Đây có thể là lần đầu tiên một dòng flagship của hãng sử dụng màn hình từ đối tác Trung Quốc.
Samsung cân nhắc đưa tấm nền OLED của BOE vào dòng Galaxy S27 nhằm tiết kiệm 5 USD mỗi máy, đối phó với tình trạng giá linh kiện bộ nhớ liên tục leo thang.
Exynos 2800 được kỳ vọng sẽ mang bộ nhớ HBM và kiến trúc GPU tự thiết kế lên di động, hứa hẹn tạo đột phá về khả năng xử lý trí tuệ nhân tạo trực tiếp trên thiết bị.
Samsung được cho là đang tích hợp bộ nhớ băng thông cao HBM vào chip Exynos 2800 thông qua công nghệ đóng gói mới, hứa hẹn thay đổi hoàn toàn hiệu suất xử lý AI.
Exynos 2700 trên Galaxy S27 sẽ chuyển từ công nghệ FOWLP sang kiến trúc Side-by-Side (SbS) nhằm giảm chi phí mà vẫn đảm bảo tản nhiệt nhờ tích hợp khối dẫn nhiệt HPB.
Samsung dự kiến thay đổi thiết kế chip Exynos 2700 từ cấu trúc FOWLP sang kiến trúc Side-by-Side kết hợp khối tản nhiệt HPB nhằm tối ưu hóa chi phí sản xuất cho thế hệ Galaxy S27.
Samsung đang tăng tốc chuẩn bị cho thế hệ flagship mới, trong khi Galaxy S27 Pro có thể trở thành lựa chọn 'quốc dân' thay thế Ultra.
Vi xử lý Exynos 2600 trên Galaxy S26 đánh dấu đột phá với công nghệ tối ưu đồ họa AI ENSS và tiến trình 2nm, giúp cải thiện hiệu năng xử lý đồ họa vượt trội.
Samsung chính thức tích hợp công nghệ AI ENSS và tiến trình 2nm tiên tiến lên Exynos 2600, giúp dòng Galaxy S26 tăng 15% hiệu năng đồ họa và dẫn đầu khả năng dò tia.
Thế hệ chip Exynos 2700 của Samsung dự kiến áp dụng cấu trúc Side-by-Side (SBS) mới, tách biệt RAM và SoC để tối ưu nhiệt độ. Giải pháp này hứa hẹn tăng băng thông bộ nhớ lên đến 40%, định hình lại sức mạnh cho dòng Galaxy S27.
Samsung dự kiến áp dụng kiến trúc Side-by-Side (SBS) trên chip Exynos 2700, giúp tăng tới 40% băng thông bộ nhớ và tối ưu hóa hiệu suất tản nhiệt cho thế hệ Galaxy tiếp theo.
Samsung Galaxy S27 Ultra dự kiến trang bị pin silicon-carbon 5.800 mAh kết hợp cùng tấm nền OLED M16 và chip Exynos 2700 mới nhằm kéo dài tối đa thời lượng sử dụng thực tế.
Samsung Galaxy S27 Ultra dự kiến trang bị pin silicon-carbon 5.800 mAh kết hợp tấm nền OLED M16 lân quang, giúp kéo dài thời lượng sử dụng mà vẫn duy trì thiết kế mỏng nhẹ.
Samsung có thể đang đi đúng hướng với vi xử lý Exynos 2700, con chip được kỳ vọng sẽ cung cấp sức mạnh cho dòng Galaxy S27 trong tương lai.
Samsung Exynos 2700 gây chú ý với cấu trúc 10 nhân chia thành 4 cụm xử lý linh hoạt. Điểm số đa nhân đạt mốc 10,350 điểm, hứa hẹn sức mạnh vượt trội cho Galaxy S27.
Samsung chính thức phát triển vi xử lý Exynos 2800 với tên mã Vanguard trên tiến trình 2nm (SF2P+). Đây là bước đi chiến lược nhằm tối ưu hiệu suất thực tế thay vì chạy đua thông số nanomet.
Chipset thế hệ mới mang tên mã Vanguard sẽ tập trung vào tối ưu hóa hiệu năng và độ ổn định trên tiến trình 2nm thay vì chạy đua thu nhỏ kích thước bóng bán dẫn.
Samsung dự kiến thay đổi chiến lược vi xử lý trên dòng Galaxy S27 nhằm tối ưu chi phí sản xuất và khẳng định năng lực tự chủ trong mảng bán dẫn.