Samsung xây dựng cơ sở nghiên cứu chip nhớ DRAM 3D thế hệ mới tại Mỹ

TechCrunch đưa tin ngày 29/1, Samsung Electronics đang thiết lập một cơ sở thí nghiệm nghiên cứu, phát triển chip nhớ DRAM 3D thế hệ mới tại Mỹ.

Samsung Electronic phát triển chip nhớ DRAM ba chiều tại Mỹ

Samsung Electronics, một trong những nhà sản xuất chip nhớ hàng đầu thế giới, đã thiết lập một cơ sở thí nghiệm nghiên cứu mới tại Mỹ nhằm phát triển chip nhớ DRAM ba chiều (3D) thế hệ mới.

Samsung Electronic nghiên cứu phát triển chip nhớ DRAM 3D thế hệ mới tại Mỹ

Samsung Electronic cho biết đã thiết lập một cơ sở thí nghiệm nghiên cứu mới tại Mỹ nhằm tập trung phát triển chip nhớ DRAM 3D thế hệ mới để duy trì vị thế dẫn đầu thị trường chip nhớ 3D toàn cầu.

Samsung Electronic thiết lập phòng nghiên cứu mới tại Mỹ

Ngày 28/1, hãng tin Yonhap đưa tin công ty Samsung Electronics, một trong những nhà sản xuất chip nhớ hàng đầu thế giới, đã thiết lập một cơ sở thí nghiệm nghiên cứu mới tại Mỹ nhằm tập trung phát triển chip nhớ DRAM ba chiều (3D) thế hệ mới.